功率器件价格跟踪系列：IGBT、MOS渠道价格整体稳定部分料号有所上涨

投资要点:

中低压MOSFET价格整体稳定，高压MOSFET部分价格有所上涨根据正能量电子网显示的功率器件渠道报价，我们整理了海外主要厂商MOSFET等产品的价格就MOSFET产品而言，中低压小信号MOSFET价格自21Q4下行以来一直稳定中高压MOSFET方面，总体是稳中有升比如安三美的150V沟槽产品价格保持稳定，而其500V超级结产品价格继续保持高位凌影5月100V整车调控产品较4月小幅上涨，说明整车调控需求依然良好

IGBT的物价稳定我们选取了600V和1200V两款产品来跟踪IGBT单管的市场现状从数据中可以看出，进入Q2后，IGBT单管价格保持稳定，其中1200V产品价格环比持平，而安三美，英飞凌的600V产品较Q1仍有一定程度的上涨由于IGBT单管下游应用广泛，包括工业，光伏，充电桩，汽车等，预计在需求热潮的推动下，今年IGBT单管价格将维持在高位

SiC器件的报价持续下降，SiC器件与硅基器件的价格差在逐渐缩小根据CASA Research统计的半导体器件分销商在线平均报价，SiC肖特基二极管和SiC MOSFET器件最近几年来逐渐下滑，650v SiC SBD 2018—2020年复合下滑达到25%，而650V SiC MOSFET达到32%

伴随着SiC器件价格的下降，SiC器件与硅基器件的价格差异正在逐渐缩小。

高压SiC和硅基之间的价格差异缩小得更加明显根据元器件分销商Mouser的数据，我们选择了650V和1200V IGBT单管和SiC MOSFET进行价格比较在650V产品上，SiC MOSFET的渠道报价是IGBT单管的3.8倍，而在1200V产品上，SiC MOSFET的渠道报价是IGBT单管的3.5倍，可见SiC MOSFET在高压领域的价格差异更小根据CASA Research的数据，SiC器件的实际交易价格基本上是公开报价的60%—70%左右，因此我们预计SiC和硅基器件的实际交易价格之间的差异可能会缩小到3倍以下

投资建议:建议关注受益于下游需求景气和电力设备国产化加速的公司标的包括:宏伟科技，士兰威，斯达半导体，时代电气，信捷能，杨洁科技

风险:下游需求不及预期，行业竞争加剧风险，产品迭代升级进度不及预期风险。